Crise de suprimentos na indústria de semicondutores
A Micron projeta que a escassez de produtos de memória, incluindo tecnologias HBM, DRAM e NAND, deve se estender para além do ano de 2026. Segundo dados compartilhados pela JPMorgan durante a Conferência Global de Tecnologia, Mídia e Comunicações, a demanda acelerada por modelos de inteligência artificial superou a capacidade produtiva atual da indústria, gerando um desequilíbrio prolongado entre oferta e procura.
A fabricante explicou que o mercado de Micron enfrenta dificuldades para aumentar a oferta de chips de alto desempenho de maneira imediata. Diversos fatores técnicos contribuem para este cenário restritivo. Entre os principais motivos estão a diminuição na taxa de ganho de performance entre gerações sucessivas de memórias e o tamanho físico consideravelmente maior dos novos chips HBM. Além disso, a implementação da litografia ultravioleta extrema (EUV) tornou-se um requisito crítico e complexo na fabricação das memórias DRAM de última geração, exigindo processos industriais mais lentos e precisos.
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A diretoria da empresa destacou que o cenário de oferta apertada deve persistir por um tempo considerável. A dificuldade em expandir as linhas de produção de HBM, DRAM e NAND em curto prazo significa que os preços e a disponibilidade de componentes para o setor de computação de alto desempenho e para o mercado doméstico podem continuar instáveis nos próximos anos.
Expansão da produção de memórias HBM4 e tecnologia 1-gamma
A estratégia da Micron para tentar mitigar este desequilíbrio envolve o foco no nó de fabricação 1-gamma. Este processo deve se tornar o volume de produção de DRAM mais alto na história da companhia em termos de saída total de wafers. O nó 1-gamma é fundamental para a criação dos módulos DRAM empilhados que compõem as memórias HBM, componentes indispensáveis para o funcionamento de GPUs dedicadas ao processamento de dados massivos.
Dados internos revelam que a produção de memórias HBM4 está escalando duas vezes mais rápido do que a geração HBM3 registrou no ano passado. O cronograma de desenvolvimento da tecnologia sucessora, a HBM4E, já está em andamento, com a rampa de produção em massa prevista para começar em 2027. Os primeiros protótipos desta nova geração utilizarão módulos de memória fabricados integralmente no processo 1-gamma, integrando a litografia EUV em larga escala.
No segmento de armazenamento sólido, o crescimento das janelas de contexto de inteligência artificial e das cargas de trabalho de inferência permitiu que a Micron ampliasse sua participação no mercado de SSDs. A empresa alterou sua abordagem comercial, trabalhando agora em colaboração direta com os clientes para desenvolver soluções de armazenamento customizadas. Essa mudança visa substituir o fornecimento de produtos de prateleira por unidades que atendam a requisitos técnicos específicos de infraestrutura de dados.
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